标签:半导体设备
SEMI:2026 年全球晶圆厂前端设施设备支出预计同比增长 18% 至 1300 亿美元
今年全球晶圆厂前端设施设备支出则将较 2024 年小幅提升 2%,来到 1100 亿美元。
西湖仪器实现 12 英寸碳化硅衬底自动化激光剥离,推动 SiC 产业尺寸迁移
更大的衬底尺寸扩大了可用面积,降低了边缘损失比例。国内企业天岳先进此前发布了业界首款 300mm 的 N 型碳化硅衬底。
青禾晶元发布全球首台 C2W & W2W 双模式混合键合设备 SAB 82CWW
该设备支持 C2W 芯片对晶圆与 W2W 晶圆对晶圆两种技术路线,支持 8 英寸、12 英寸晶圆,对准精度和键合精度分别可达 ±30nm 和 ±100nm。