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美光发函确认正提升内存与存储产品定价,消息称涨幅 10%~15%

美光宣称由于内存和存储市场已开始走入复苏轨道,计划外需求的增加导致了供应紧张,美光因此涨价。

美光宣布其用于英伟达 AI 芯片的 HBM3E 及 SOCAMM 已量产出货

美光表示,SOCAMM 是一款与 NVIDIA 合作开发的模组化 LPDDR5X 内存解决方案,是全球速度最快、体积最小、功耗最低、容量最高的模组化内存解决方案。

美光抢滩 1γ DDR5 内存:最少化 EUV 使用,加速量产尖端 DRAM

美光、三星和SK海力士在DRAM生产中的技术路线差异,将直接影响未来市场竞争格局。美光的保守策略短期内可能带来量产优势,但长期来看,三星和SK海力士在EUV技...

美光豪掷 21.7 亿美元扩建弗吉尼亚工厂,提升美国特种 DRAM 产能

美国弗吉尼亚州州长格伦・杨金表示,美光计划投资 21.7 亿美元(IT之家备注:当前约 158.76 亿元人民币)扩建其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的半导体工厂,创造 34...

美光下调 10% NAND 闪存产能利用率以应对市场需求放缓

美光在 NAND 领域正采取迅速而果断的行动来降低资本支出并削减晶圆产量,以维持供应纪律。