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欧洲先进 FD-SOI 中试线启动设计项目征集,目标 2027 年实现 10nm

该项目在 10nm FD-SOI 全耗尽型绝缘体上硅工艺上将采用193nm ArFi DUV 光刻机,结合 SADP 自对准双重曝光技术。