标签:NAND

美光发函确认正提升内存与存储产品定价,消息称涨幅 10%~15%

美光宣称由于内存和存储市场已开始走入复苏轨道,计划外需求的增加导致了供应紧张,美光因此涨价。

消息称闪迪已向下游发出涨价函,4 月 1 日起存储产品价格普增逾一成

闪迪称存储行业即将供不应求,这与关税变动一道影响了供应能力、增加了运营成本,在接下来的几个季度中预计会有更多的涨价。

消息称三星电子推动西安工厂闪存工艺进一步升级:年内建成 V9 NAND 产线

三星电子在去年先后宣布其基于第九代 V-NAND 技术的 TLC 和 QLC 颗粒量产,目前相关产品正在其韩国平泽 P4 工厂制造。

集邦咨询:库存高企需求疲软,2025Q1 NAND 平均合约价预测降 10~15%、DRAM 降 8~13%

TrendForce 集邦咨询昨日(12 月 31 日)发布博文,预测 2025 年第 1 季度 NAND Flash 合约价环比下降 10~15%;DRAM 合约价下降 8~13%。

美光下调 10% NAND 闪存产能利用率以应对市场需求放缓

美光在 NAND 领域正采取迅速而果断的行动来降低资本支出并削减晶圆产量,以维持供应纪律。